西陆军事

内存芯片产值2018年将破1000亿美元,中国开始起航

2018-08-13 来源:西陆微博

这两年DRAM内存、NAND闪存行业的疯狂激荡大家都看在眼里。内存尤其夸张,价格持续飙升。闪存方面倒是基本稳定了,但市场需求持续异常旺盛。两大行业空前火热,从业者自然也是赚得盆满钵满。根据市调机构IC Insight的最新报告,2018年全球前DRAM内存芯片产业总价值预计将达1016亿美元,年增幅高达39%,继续稳居第一,占全年整个IC行业的多达24%。

同时,这也将是历史上第一次,单个领域的IC产业价值突破1000亿美元大关。

NAND闪存行业产值有望达到626亿美元,与内存行业合计428亿美元,占全产业的38%之多。

这样的数字背后,最兴奋的当然是韩国企业,尤其是三星电子,毕竟它是DRAM内存、NAND闪存两大行业的双料老大,占据份额分别有45%、37%之多,SK海力士则分别占28%、10%。

换言之,仅仅是韩国两大巨头,就称霸了几乎四分之三的DRAM内存市场、几乎一半的NAND闪存市场。

标准PC和服务器处理器一直是行业龙头,但这两年完全被内存、闪存碾压,年产值预计只有508亿美元,年增幅仅5%。即便如此,这也是该行业连续两年创造新高了。之后是计算芯片、无线通信芯片,分别为276、160亿美元左右。

中国国家存储器基地位于武汉光谷 。存储器芯片市场是全球垄断最为严重的芯片细分市场,DRAM和NANDFLASH芯片市场长期被韩国美日垄断,尤其以韩国三星、SKHynix两家为首,共占据了DRAM市场和NANDFLASH市场70%和50%的市场份额。中国于2013年发布了自主研发的55纳米相变存储芯片,成为继美国和韩国后,全球第三个掌握相变存储技术的国家。

现在,中国国家存储基地的一期工程已经封顶,今年将进行中小规模的试产和量产,争取在2019年进行大规模的生产,填补中国在存储产业领域的空白。一期工程量产规模将达到30万片/月的产能。年产值超过100亿美元。可以预见,随着我国存储芯片产业的发展,我国在存储芯片领域将有可能复制京东方模式。除了长江存储外,我国还有合肥长鑫、福建晋华两家存储器厂商,从2018年开始,它们都要动真格了。

预计,未来两年手机或用上国产存储芯片


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