中科院石墨烯或成2nm制程关键 高精尖芯片有望
口说无凭,IMEC在IEEE会中提出的异质整合方法有哪些呢?芯片制造后端制程采用通孔混合异端金属布线、半镶嵌制程、零通孔结构解决因硅基晶体管数量增多产生的布线拥塞,讯号迟缓问题。由于石墨烯材料具备优良的导电性、导热性以及电子活泼性等良好特性;成为IEEE的首选研究对象。
其它质量因素采用钴、钌、钨、铝镍合金、钌钒合金等有序二元介金属化合物代替传统的硅晶圆,用来解决导线层布线冗杂等布局问题。补充一点,这里说的质量因素指代块材电阻与金属内部载子平均自由路径。需要注意的是,上述提到的这些都是建立在“将石墨烯材料作为金属材料的氧化阻障层、超薄扩散阻障层”的理论模型上的。
也就是说,IMEC在IEEE会中提出的异质整合方法,其包含的能够解决2纳米以下制程芯片导线冗杂方法,诸如在铜等金属中混杂石墨烯或是在掺杂金属元素的方案,其作用对象都是石墨烯材料。之所以朝石墨烯中加入金属元素,是为了提高石墨烯的载流子浓度。需要注意的是,石墨烯材料是导电的,但是石墨烯的导电率是由电子迁移率决定的。