降维打击！东大成功研发全新架构闪存芯片
2025-10-10来源:自由
二、战略纵深：技术突破背后的产业博弈
国际半导体行业此次“炸锅”绝非过度反应。根据业界评估，传统Flash技术正面临物理极限——存储速度徘徊在微秒级别，功耗与集成度的平衡已逼近临界点。而“长缨”芯片的混合架构同时兼具易失性存储器的速度优势和非易失性闪存的容量优势，这种特性恰恰击中了AI算力爆发的痛点。
更值得深思的是技术路线的战略价值。笔者曾多次强调，半导体竞争的本质是架构定义权的争夺。当西方巨头仍在冯·诺依曼架构下修修补补时，东大团队率先将二维超快闪存器件与成熟硅基CMOS工艺深度融合，这种“降维打击”使得我国在下一代存储技术竞争中抢占了标准制定权。产业界普遍认为，该芯片有望成为AI时代的标准存储方案，未来在3D应用领域可能引发链式反应。（本文由AI辅助生成）
三、隐形战线：人才与生态的持久战
值得看官们关注的是，这项突破背后是长达五年的持续攻关。科研团队不仅完成了从基础研究到工程应用的关键跨越，更构建了理论创新与应用转化并行的双轮驱动模式。这种“产学研”深度融合的机制，正是东大科技突围的核心竞争力。
相较于某些国家依靠单一企业突破的模式，东大选择了更为坚韧的“军团作战”。集成电路与微纳电子创新学院、集成芯片与系统全国重点实验室的协同攻关，体现了系统化技术攻坚的组织优势。据悉，团队下一步将建立实验基地，联合产业机构推进工程化项目，计划3至5年内实现兆量级集成。这种“实验室-中试-量产”的连贯推进节奏，显然经过精密战略规划。
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