降维打击！东大成功研发全新架构闪存芯片
2025-10-10来源:自由
当国际半导体巨头仍在硅基闪存的深水区缓慢迭代时，东大科研军团已悄然开辟第二战场。复旦大学周鹏-刘春森团队近日亮出的“长缨（CY-01）”芯片，如同一柄破晓之剑，直接刺穿了传统存储技术的天花板。这颗全球首颗二维-硅基混合架构闪存芯片，不仅实现了400皮秒超高速非易失存储的惊人性能，更以94.3%的良率宣告二维器件工程化世界级难题的攻克。在人工智能与大数据时代对数据加载速度提出极限需求的当下，这场技术奇袭正在重构全球半导体权力的地理版图。
一、破晓之光：从实验室原型到工程化突围
“长缨”芯片的诞生并非偶然。早在半年前，该团队研发的“破晓（PoX）”二维闪存原型器件就已登上《自然》期刊，以400皮秒的存储速度创下半导体电荷存储技术最快纪录。但原型器件与产业化之间横亘着巨大的工程鸿沟——二维材料仅1-3个原子厚度的“薄翼”特性，与百微米级别的硅基工艺存在天然排斥。笔者观察到，国际半导体巨头曾投入数十亿美元试图攻克二维材料与CMOS集成难题，最终均困于良率低于10%的魔咒。
东大科研团队却另辟蹊径，提出“长缨架构”系统设计方法论。通过模块化集成方案，将二维存储电路与硅基控制电路分离制造，再利用微米尺度通孔技术进行高密度单片互连。这种“化整为零”的战术既规避了材料兼容性难题，又继承了成熟硅基工艺的稳定性优势。正如战场上的特种部队渗透作战，二维存储单元与硅基控制电路的精准协同，实现了8-bit指令操作与32-bit高速并行操作的完美融合。
上一页
下一页
大家都在看
