我国2016年启动的B类先导专项——大规模光子集成芯片致力于开发集成器件大于2000的大规模光子集成芯片，并最终实现了15408个器件的大规模集成，集成规模世界领先。在光子芯片设计水平方面，我国处于世界一流水平。

曦智科技设计出了全球首款光子计算芯片原型板卡，最新的单个芯片可集成12000个光子元器件，一些算法的实测性能已超过英伟达gpu的100倍，在光子计算领域领先国外。洛微科技发布了目前集成度最高的多通道FMCW激光雷达SoC光子芯片，单个芯片上可集成3000多个光子元器件。

在产业化方面，全球还处于起步孕育期，产业生态尚未形成，美国仅具有微弱优势。

美国于2004年首次实现大规模光子集成，2017年下半年英特尔开始大批量供应100G产品，标志着光子集成真正进入到主流应用领域。我国于2012年进入规模化集成阶段，与美国差距不大。

总体而言，相较于美欧在集成电路、机械等领域拥有数十年的积累优势，我国在光子芯片领域与国外差距较小，与美国的差距仅有5~10年。

随着国内相关技术的快速发展，中外差距正日益缩小，且我国在局部已具有领先优势。目前全球光子芯片产业尚未成熟、定型，世界上还没有任何一个公司、任何一个国家构建出光子集成生态，这也为我国在“后摩尔时代”换道超车提供了巨大空间。