2021年2月，中国集结了国内90多家芯片上下游企业以及科研机构、高校，包括华为海思、中芯国际、清华大学、北京大学等，成立了中国的半导体联盟。

因为美国的科技战，国产替代迎来空前良机。2018年特朗普单独以美国力量打压华为，给中国敲响了产业链安全的警钟，中国公司特别重视国产替代。国产芯片正在以群雄逐鹿的方式奋起直追。一些原来看似难度大到不可能的芯片，已经实现了重大突破。比如：

存储芯片。2020年，长江存储的64层3D NAND闪存技术和合肥长鑫19nm（10G1工艺）DDR4内存芯片，均实现了中国在高等存储芯片从无到有的历史性突破。时间到了2022年4月，长江存储宣布，推出UFS3.1规格的通用闪存芯片—UC023。5月，长江存储自主研发成功192层3D NAND的样品，标志着我国国产芯片存储技术达到或接近全球第一梯队的水平。有消息称，合肥长鑫将在今年投产基于17nm制程工艺打造的DDR5内存芯片。

再比如前面提到的射频芯片。射频芯片被称为模拟芯片皇冠上的明珠，长期被国外垄断。卓胜微于2021年9月份宣布推出5G NR频段5G纯国产射频芯片，2022年1月份富满微电子宣布研发出5G前端射频芯片并进入量产阶段，还有几家公司正在进行试生产。

2021年，芯片荒给国产芯片创造了发展良机，国产芯片公司在PMIC、SOC、MCU、IGBT、ADC、IPM都有长足的进步。

据IC insights数据， 2021年中国只有16%半导体是从国内采购。芯片自给率的形势依然严峻。距离2025年芯片国产化率70%的目标还很远。当然，不能仅仅从国产化率评估国产化的进展，从技术突破，实现量产到产能提高，毕竟需要时间。各类芯片实现从无到有的整体性突破，这一点比国产化率的提高更重要。

中芯国际代表大陆最高的芯片制造工艺水平。2021年6月，梁孟松透露，中芯国际已实现14nm、12nm和N+1的规模量产，7nm芯片的研发设计任务也已经完成，2022年4月可以进入风险量产。“5nm和3nm的最关键、也是最艰巨的8大项技术也已经有序展开， 只待EUV光刻机的到来，就可以进入全面开发阶段。”

在芯片制造设备方面，国产化每年都在进步。2020 年设备国产率 16.8%，2021年上升为 27.4%。今年1~4月开标的401台设备中，中国大陆厂家供应的设备共计97台，占比达24.2%。但2022年5月10日，上海积塔半导体设备中标结果却是大陆本土设备供应商合计中标率占比约67%。另据德邦证券统计，2022年4月设备国产中标率62%。

芯片制造设备国产化率越来越高，这是积极的信号。部分设备已经取得主导地位。重要性仅次于光刻机的刻蚀机，中微公司已经向台积电供应5nm刻蚀机。根据紫金财经消息，中微公司已经成功研制出了3nm蚀刻机，并且已经完成原型机的设计，制造和测试。

芯片制造的材料，大陆也取得了不少突破。